英諾賽科（珠海）科技有限公司是2015年12月由海歸團隊發(fā)起，并集合了數(shù)十名國內(nèi)外精英聯(lián)合創(chuàng)辦的第三代半導體電力電子器件研發(fā)與生產(chǎn)的高科技企業(yè)。公司一期項目坐落于珠海市國家級高新區(qū)，并已建成中國首條8英寸硅基氮化鎵外延與芯片大規(guī)模量產(chǎn)生產(chǎn)線。公司的主要產(chǎn)品包括30V-650V氮化鎵功率與5G射頻器件，產(chǎn)品設(shè)計及性能均達到國際先進水平。英諾賽科公司致力于打造中國功率半導體國際一流品牌，為國家半導體產(chǎn)業(yè)騰飛做出貢獻。

英諾賽科公司商業(yè)模式采用IDM (Integrated Device Manufacturer) 全產(chǎn)業(yè)鏈模式。英諾賽科（珠海）科技有限公司以其雄厚的技術(shù)實力，致力于打造一個集研發(fā)、設(shè)計、外延生長、芯片制造、測試與失效分析為一體的第三代半導體生產(chǎn)平臺。公司的IDM產(chǎn)業(yè)化模式及其首創(chuàng)的8英寸硅基氮化鎵功率與射頻器件大規(guī)模量產(chǎn)線使公司產(chǎn)品具有高性能、低成本、高可靠性等市場優(yōu)勢。

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